u 教育背景

2003年9月-2007年6月 湖北民族大学，获电子信息科学与技术工学学士学位；

2007年9月-2010年6月 贵州大学，获微电子学与固体电子学工学硕士学位；

2013年9月-2017年9月 华中科技大学，获微电子学与固体电子学工学博士学位。

u 科研方向

先进存储器、柔性电子器件、神经形态器件及类脑芯片技术、人工智能

u 科研项目

[1] 广西科技厅科技计划项目：高密度、低功耗TiO2忆阻器的制备及其关键技术研究，批准号：桂科AD19110038，2019.6~2022.5，24万元，主持。

[2] 广西精密导航技术与应用重点实验室开放基金项目：低成本、高密度TiO2忆阻器的制备及研究，批准号：DH202010，2020.1~2021.12，3万元，主持。

[3] 广西教育厅科研项目：TiO2忆阻器的制备及阻变存储机制研究，批准号：2019KY0392，2019.4~2021.3，3万元，主持。

[4] 湖北省教育厅科研计划项目：TiO2纳米线忆阻器的制备及其阻变开关特性研究，批准号：B2018087，2018.1~2023.6，1万元，主持。

[5] 湖北省教育厅科研计划项目：环境友好半导体薄膜Mg2Si的制备及其热电器件研究，批准号：B20122903，2012.1~2014.12，1万元，主持。

[6] 广西科技大学“3331高层次人才计划”优秀青年学者基金项目：氧化物忆阻器的制备及其性能研究，批准号：校科博19Z07，2019.2~2024.2，100万元，主持。

[7] 国家自然科学基金项目：基于主客体超分子催化剂的复合光阳极构建及其光电催化水氧化性能的研究，批准号：22269002，2023.1~2026.12，33万元，参与。

[8] 国家自然科学基金项目：ZnO基稀磁半导体异质结电阻变换、磁性及其耦合研究，批准号：11364018，2014.1~2017.12，52万元，参与。

u 教学工作

《电路分析》、《数字逻辑》、《模拟电子技术》、《数字电子技术》、《高频电子线路》

u 代表性学术成果

[1] Zhiqiang Yu, Tangyou Sun*, Baosheng Liu, Liang Zhang, Huajin Chen, Xiangsuo Fan*, Zijun Sun*. Self-rectifying and forming-free nonvolatile memory behavior in single-crystal TiO2 nanowire memory device. Journal of Alloys and Compounds, 2021, 858: 157749.

[2] Tangyou Sun, Yun Liu, Jie Tu, Zhiping Zhou, Le Cao, Xingpeng Liu, Haiou Li*, Qi Li, Tao Fu, Fabi Zhang, Zhiqiang Yu*. Wafer-scale high anti-reflective nano/micro hybrid interface structures via aluminum grain dependent self-organization. Materials & Design, 2020, 194: 108960.

[3] Zhiqiang Yu, Xiaopeng Qu, Weiping Yang, Jing Peng, Zhimou Xu*. A facile hydrothermal synthesis and memristive switching performance of rutile TiO2 nanowire arrays. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 688: 37~43.

[4] Zhiqiang Yu, Xiaopeng Qu, Weiping Yang, Jing Peng, Zhimou Xu*. Hydrothermal synthesis and memristive switching behaviors of single-crystalline anatase TiO2 nanowire arrays. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 688: 294~300.

[5] Zhiqiang Yu*, Xinwei Zhao, Baosheng Liu, Tangyou Sun, Zhimou Xu*. Hydrothermal synthesis and nonvolatile resistive switching properties of α-Fe2O3 nanosheet arrays. Chinese Physics B, 2026, 35(1): 017302.

[6] Zhiqiang Yu*, Jinhao Jia, Meilian Ou, Tangyou Sun*, Zhimou Xu. Sol-gel synthesis and nonvolatile resistive switching behaviors of wurtzite phase ZnO nanofilms. Chinese Physics B, 2025, 34(12): 127302.

[7] 余志强*, 徐佳敏, 韩旭, 陈诚, 曲信儒, 唐锦, 孙子君, 徐智谋. 金红石TiO2纳米线忆阻器的制备及阻变存储机制. 材料导报, 2024, 38(13): 23020160.

[8] Zijun Sun, Chengwen Xu, Zhen Li, Fei Guo, Baosheng Liu, Jinghua Liu, Jin Zhou, Zhiqiang Yu*, Xiong He*, Daochuan Jiang*. Construction of organic-inorganic hybrid photoanodes with metal phthalocyanine complexes to improve photoelectrochemical water splitting performance. New Journal of Chemistry, 2022, 46(19): 9111~9118.

[9] Zijun Sun*, Xiong He, Jinghua Liu, Baosheng Liu, Hongda Li, Xiaobo Jia, Zhiqiang Yu*, Haixin Chang*. Enhanced photoelectrochemical performance of hematite photoanode by decorating NiCoP nanoparticles through a facile spin coating method. Catalysis Letters, 2021, 151: 3135~3144.

[10] Zijun Sun*, Guisong Fang, Jinglin Li, Jiahuan Mo, Xiong He, Xu Wang*, Zhiqiang Yu*. Preparation of (Ti, Zr) co-doped hematite photoanode for enhanced photoelectrochemical water splitting. Chemical Physics Letters, 2020, 754: 137736.

[11] 余志强, 刘敏丽, 郎建勋, 钱楷, 张昌华*. 基于Au/TiO2/FTO结构忆阻器的开关特性与机理研究. 物理学报, 2018, 67(15): 157302.

[12] 余志强, 张昌华*, 李时东*, 廖红华. 碳锗掺杂对硅纳米管电子结构和光电性质的影响. 无机材料学报, 2015, 30(3): 233~239.

[13] Zhiqiang Yu, Zhimou Xu*, Xinghui Wu. Electronic structure and optical properties of MgxZn1-xS bulk crystal using first-principles calculations. Chinese Physics B, 2014, 23(10): 107102.

[14] 余志强, 张昌华*, 郎建勋. P掺杂硅纳米管电子结构与光学性质的研究. 物理学报, 2014, 63(6): 067102.

[15] 张昌华, 余志强*, 廖红华. Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质. 发光学报, 2014, 35(7): 785~790.

[16] 余志强*. 硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究. 物理学报, 2012, 61(21): 217102.

[17] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉. 狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响. 物理学报, 2010, 59(2): 925~931.

[18] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉. 基于狭义相对论转动质量效应的X-ray光谱分析. 光谱学与光谱分析, 2010, 30(4): 1136~1140.

[19] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉, 赵珂杰. Mg2Si晶体结构及消光特性的研究. 物理学报, 2009, 58(10): 6889~6893.

[20] 余志强, 谢 泉*, 肖清泉, 赵珂杰. 基于Bohr-Sommerfeld量子理论的X射线光谱分析. 物理学报, 2009, 58(8): 5318~5322.

u 发明专利：

[1] 余志强，韩旭，徐佳敏，曲信儒，陈诚，镇丹，孙子君，刘宝生，张喨，欧梅莲. 非易失性α-Fe2O3/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法. 中国发明专利，专利申请号: ZL 202210263780.3

[2] 余志强，陈诚，徐佳敏，曲信儒，韩旭，镇丹，刘宝生，孙子君，张喨，欧梅莲. 非易失性FeOOH/TiO2异质结忆阻器及其制备和多值存储调控方法. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202210263712.7

[3] 余志强，陈诚，镇丹，谢泉，高廷红，肖清泉，陈茜，刘宝生，徐佳敏，韩旭，曲信儒. 一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法. 中国发明专利，专利申请号: ZL 202210988070.7

[4] 余志强，陈诚，镇丹，谢泉，肖清泉，高廷红，陈茜，张喨，韩旭，徐佳敏，曲信儒. 一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202210991849.4

[5] 唐跃龙，唐锦，黄绍芬，王洋，梁荣吉，廖丽珍，余志强，李如雪. 一种电子陶瓷封装用玻璃粉及其制备方法. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202311357956.2

[6] 刘宝生，张雨金，李峰，黄小琦，张绍辉，常海欣，余志强，孙子君，贾小波，王国富，刘静华，何雄，韩珊珊. 一种镍钴锰酸锂锂电池正极材料及其制备方法和应用. 中国发明专利，专利授权号: ZL 202210564562.3

[7] 张昌华，宋卫东，周红艳，邓初芬，余志强，谭心堃. 一种曳引式电梯防抱闸松动安全装置. 中国发明专利，专利授权号: ZL 201410637619.3

[8] 谢泉，肖清泉，张晋敏，陈茜，余志强，赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 中国发明专利，专利授权号: ZL 201010147304.2

u 获奖与荣誉

[1] 中国研究生电子设计竞赛优秀指导教师奖，中国学位与研究生教育学会、中国科协青少年科技中心、中国电子学会，2024.7

[2] 自治区“广西高等学校千名中青年骨干教师培育计划”入选者，广西人民政府，广西教育厅，2021.7

[3] 广西科技大学“本科毕业设计优秀指导教师”，广西科技大学，2024.3

[4] 广西科技大学“研究生就业工作先进个人”，广西科技大学，2021.3

[5] 华中科技大学“社会活动积极分子”，华中科技大学，2014.11

[6] 贵州大学“三好研究生”，贵州大学，2009.12